[请教]关于在WQX上仿多线程操作

epcdiy

理论可以的，但是wqx闪存速度你也应该了解一下

飞蓬

另外，BBK关机后再开机能继续运行关机前运行的文件，不知道是不是用的这个办法

飞蓬

WQX的RAM好象不大吧，闪存速度虽慢，但应该也不会慢太多。我记得V5100没有NOR，系统是放在NAND里面的，速度确实慢了不少，但NOR和NAND都是闪存……

epcdiy

楼主应该去了解一下nor与nand的区别
自己baidu一下吧

Sun_Dream

也不要怪YERO
不了解,确实现在很多星迷对Nor /nand缺乏了解的

飞蓬

NAND和NOR flash
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash
技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表
了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻
松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
　　 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚
NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代
码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　　 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪
存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很
高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
　　 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很
快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。


性能比较
　　 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何
flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操
作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前
先要将目标块内所有的位都写为0。
　　 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，
与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
　　 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给
定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　 ● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。


接口差别
　　 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一
个字节。
　　 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8
个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
　　 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于
NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。


容量和成本
　　 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以
在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
　　 NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的
产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在
CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。


可靠性和耐用性
　　 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，
Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR
和NAND的可靠性。
　　 寿命(耐用性)
　　 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存
储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存
储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
　　 位交换
　　 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比
NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
　　 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致
系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
　　 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转
的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算
法。
　　 这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存
储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
　　 坏块处理
　　 NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，
代价太高，根本不划算。
　　 NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的
器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

易于使用
　　 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接
运行代码。
　　 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
　　 在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信
息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必
须进行虚拟映射。


软件支持
　　 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存
管理算法的软件，包括性能优化。
　　 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需
要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需
要MTD。
　　 使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软
件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX
Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
　　 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗
平衡。

飞蓬

这里面说的我早知道了，难道还有更深一层的区别吗？还请EPC解答下，谢谢了

点虫虫

CPU启动时是直接运行NOR上的代码,CPU是无法直接运行NAND上的东西。因此,即使WQX把系统文件放在NAND,还是要一套引导程序(或叫"内核")放在NOR,以便在读取系统文件前已经准备好NAND驱动

laugj

...中断现场 保护现场... 跳转 ... 还原现场....

POTO

引用第8楼点虫虫于2006-08-17 15:09发表的“”:
CPU启动时是直接运行NOR上的代码,CPU是无法直接运行NAND上的东西。因此,即使WQX把系统文件放在NAND,还是要一套引导程序(或叫"内核")放在NOR,以便在读取系统文件前已经准备好NAND驱动

是这样啊

飞蓬

哦，看来想要完成这个想法还是要下很多工夫啊

飞蓬

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WQX上采用的是8位低端CPU，是不可能真正支持多线程的，但是，我们可不可以通过软件来仿多线程操作呢？
例如在运行一个程序时，按某两个特定的组合键来切换界面，在切换的同时将内存中的所有信息保存到闪存中，然后去执行其它程序，在切换回来时又将闪存中内存信息载入内存，继续执行内存中的程序。这样通过虚拟内存的方式来打到仿多线程的操作，不知道可不可行，还请各位高手指点！
以上是我个人的设想，犹如我的汇编水平不高，错误的地方各位大虾不要见笑！